Texas Instruments MOSFET, Canale N, 3,8 MΩ, 100 A, VSON-CLIP, Montaggio Superficiale
About The Texas Instruments MOSFET, canale N, 3,8 mΩ, 100 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.05mm, MPN: CSD16321Q5
Texas Instruments MOSFET, canale N, 3,8 mΩ, 100 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.9V, Dissipazione di potenza massima: 3,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +10 V, Altezza: 1.05mm, MPN: CSD16321Q5
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Texas Instruments MOSFET, Canale N, 3,8 MΩ, 100 A, VSON-CLIP, Montaggio Superficiale
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Specifications of Texas Instruments MOSFET, Canale N, 3,8 MΩ, 100 A, VSON-CLIP, Montaggio Superficiale | |
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