DiodesZetex MOSFET, Canale N, 35 MΩ, 15,4 A, SOT-223, Montaggio Superficiale
About The DiodesZetex MOSFET, canale N, 35 mΩ, 15,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.55mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN3032LE-13
DiodesZetex MOSFET, canale N, 35 mΩ, 15,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.55mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN3032LE-13
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
DiodesZetex MOSFET, Canale N, 35 MΩ, 15,4 A, SOT-223, Montaggio Superficiale
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Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale N, 35 MΩ, 15,4 A, SOT-223, Montaggio Superficiale | |
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