Nexperia MOSFET, Canale N, 6,5 MΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
About The Nexperia MOSFET, canale N, 6,5 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 148 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R5-40BS,118
Nexperia MOSFET, canale N, 6,5 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 148 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R5-40BS,118
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Nexperia MOSFET, Canale N, 6,5 MΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
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Specifications of Nexperia MOSFET, Canale N, 6,5 MΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale | |
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