Infineon MOSFET, Canale N, 5,2 MΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
About The 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.Infineon MOSFET, canale N, 5,2 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2
Infineon MOSFET, canale N, 5,2 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 167 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.413mm, MPN: IPD031N06L3GATMA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 5,2 MΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 5,2 MΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale | |
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