Infineon MOSFET, Canale N, 64 A, TO-263-7, Montaggio Superficiale
About The Infineon MOSFET, canale N, 64 A, TO-263-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon MOSFET, canale N, 64 A, TO-263-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: IMBG65R022M1HXTMA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 64 A, TO-263-7, Montaggio Superficiale
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