STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 7 Ω, 4 A, TO-247, Su Foro
About The STMicroelectronics MOSFET, canale N, 7 Ω, 4 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW4N150
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 7 Ω, 4 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW4N150
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 7 Ω, 4 A, TO-247, Su Foro
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 7 Ω, 4 A, TO-247, Su Foro | |
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