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EPCOS

EPCOS Varistore Ossido Di Metallo, 20V C.a. Max, 26V C.c. Max, Ø 15.5mm, 65 Vclamp

About The 5mm, MPN: B72214S0200K101.5 (Dia

max, 26V c.c. max, Ø 15.5mm, 65 Vclamp, Tensione varistore: 33V, Tensione di blocco: 65V, Corrente di blocco: 10A, Energia: 6J, Materiale: Metallico, Serie: Standard, Corrente di surge massima: 1000A, Capacità: 6.8nF, Spessore: 4.6mm, Dimensioni: 15.5 (Dia.) x 4.6mm, Passo: 7.5mm, MPN: B72214S0200K101 EPCOS Varistore ossido di metallo, 20V c.a.

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EPCOS Varistore Ossido Di Metallo, 20V C.a. Max, 26V C.c. Max, Ø 15.5mm, 65 Vclamp

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Specifications of EPCOS Varistore Ossido Di Metallo, 20V C.a. Max, 26V C.c. Max, Ø 15.5mm, 65 Vclamp

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Parker Valvola di controllo del flusso idraulico, G 3/8, portata max 3L/min, 210bar max, in Ottone nichelato

Parker Valvola di controllo del flusso idraulico, G 3/8, portata max 3L/min, 210bar max, in Ottone nichelato

, Materiale tenuta: Gomma nitrilica, Massima temperatura operativa: +100°C, Minima temperatura operativa: -20°C, Tipo di montaggio: In linea, MPN: 2001.

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    • TE Connectivity Contatto per connettore circolare Maschio, serie Type XII, cavo 16 → 12 AWG

    TE Connectivity Contatto per connettore circolare Maschio, serie Type XII, cavo 16 → 12 AWG

    62mm, Placcatura contatto: Argento, Materiale contatto: Rame, Tipo di montaggio: Montaggio su cavo, MPN: 66261-4.TE Connectivity Contatto per connettore circolare Maschio, serie Type XII, cavo 16 → 12 AWG, Dimensione cavo: 16 12 AWG, Terminazione: Crimpare, Per utilizzo con: Connettori serie G e CPC e M, Tipo di contatto: Potenza, Corrente nominale: 35A, Lunghezza: 31.

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    • onsemi MOSFET, canale N, 16,8 mΩ, 49 A, DFN, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 16,8 mΩ, 49 A, DFN, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 16,8 mΩ, 49 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFD5C672NLWFT1G.

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    • onsemi MOSFET, canale N, 16,8 mΩ, 49 A, DFN, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 16,8 mΩ, 49 A, DFN, Montaggio superficiale

    2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.

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