onsemi MOSFET, canale N, 16,8 mΩ, 49 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFD5C672NLWFT1G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 16,8 MΩ, 49 A, DFN, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 16,8 MΩ, 49 A, DFN, Montaggio Superficiale | |
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