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RS PRO

RS PRO Plastica Laminata Carta Marrone Circolare, 1.2m X 15.8mm ID X 22.2mm OD X 6.4mm X 22.2mm

About The 4mm x 22.RS PRO Plastica laminata carta Marrone Circolare, 1

RS PRO Plastica laminata carta Marrone Circolare, 1.2m x 15.8mm ID x 22.2mm OD x 6.4mm x 22.2mm, Laminated: Sì

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RS PRO Plastica Laminata Carta Marrone Circolare, 1.2m X 15.8mm ID X 22.2mm OD X 6.4mm X 22.2mm

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Specifications of RS PRO Plastica Laminata Carta Marrone Circolare, 1.2m X 15.8mm ID X 22.2mm OD X 6.4mm X 22.2mm

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RS PRO Plastica Laminata Carta Marrone Circolare, 1.2m X 15.8mm ID X 22.2mm OD X 6.4mm X 22.2mm
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Vishay Resistenza serie CW, 50Ω, 3.75W, ±5%

Vishay Resistenza serie CW, 50Ω, 3.75W, ±5%

75W, ±5%, Tecnologia: Filo avvolto, Temperatura operativa massima: +350°C, Coefficiente di temperatura: ±30ppm/°C, Temperatura operativa minima: -65°C, MPN: CW02B50R00JE12.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze a foro passante
  • Vishay
    • Wurth Elektronik Condensatore ceramico multistrato MLCC, 0603 (1608M), 100pF, ±10%, 50V cc, SMD, X7R
  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Condensatori
  • Condensatori ceramici multistrato
  • Wurth Elektronik
    • Nichicon Condensatore elettrolitico solido, 470μF, 6.3V cc, +105°C, SMD

    Nichicon Condensatore elettrolitico solido, 470μF, 6.3V cc, +105°C, SMD

    3V cc, +105°C, SMD, Capacità: 470µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tecnologia: Alluminio in polimero conduttivo, Dimensioni: 8(Dia.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Condensatori
  • Condensatori elettrolitici
  • Nichicon
    • onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale

    1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFS5C673NLWFAFT1G.onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 46 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale

    2V, Dissipazione di potenza massima: 46 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFS5C673NLWFAFT1G.onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • onsemi