Infineon MOSFET, canale N, 450 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SPW11N80C3
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Infineon MOSFET, Canale N, 450 MΩ, 11 A, TO-247, Su Foro
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 450 MΩ, 11 A, TO-247, Su Foro | |
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