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Omron Unità I/O, Per UNITÀ I/O NX

About The Omron Unità I/O, per UNITÀ I/O NX, Tipo accessori: Modulo I/O analogico, MPN: NXAD4608

Omron Unità I/O, per UNITÀ I/O NX, Tipo accessori: Modulo I/O analogico, MPN: NXAD4608

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Omron Unità I/O, Per UNITÀ I/O NX

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Specifications of Omron Unità I/O, Per UNITÀ I/O NX

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Panasonic Condensatore, serie NHG, 47μF, 200V cc, ±20%, +105°C, Radiale, Foro passante

Panasonic Condensatore, serie NHG, 47μF, 200V cc, ±20%, +105°C, Radiale, Foro passante

5mm, Durata: 2000h, Polarizzato: Polare, Corrente di ripple: 220mA, MPN: ECA2DHG470.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Condensatori
  • Condensatori elettrolitici
  • Panasonic
    • Wurth Elektronik File di contatti PCB, 2 vie, 1 fila, passo 5.0mm
  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Connettori
  • Morsettiere
  • Morsettiere innestabili
  • Wurth Elektronik
    • Entrelec Spaziatura, serie ECP

    Entrelec Spaziatura, serie ECP

    Entrelec Spaziatura, serie ECP, Accessorio: Piastra di divisione, Per utilizzo con: terminal per guida DIN, MPN: 1SNA113689R2400.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Connettori
  • Morsettiere
  • Accessori per morsettiere su guida DIN
  • Entrelec
    • onsemi MOSFET, canale N, 43 mΩ, 21 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 43 mΩ, 21 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 43 mΩ, 21 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 24 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NTMYS025N06CLTWG.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi MOSFET, canale N, 43 mΩ, 21 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 43 mΩ, 21 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale N, 43 mΩ, 21 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 24 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NTMYS025N06CLTWG.

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