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ROHM MOSFET, Canale N, 39 MΩ, 70 A, TO-247-4, Su Foro

About The 7V, Dissipazione di potenza massima: 262 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 22 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SCT3030ARC14.6V, Tensione di soglia gate minima: 2

ROHM MOSFET, canale N, 39 mΩ, 70 A, TO-247-4, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.6V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 262 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 22 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SCT3030ARC14

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Specifications of ROHM MOSFET, Canale N, 39 MΩ, 70 A, TO-247-4, Su Foro

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Phoenix Contact Morsettiera per circuito stampato Femmina a 9 vie, passo 3.5mm, Montaggio su foro passante
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    • JST Terminale ad occhiello, Ø perno M4, dimens.

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    max filo 1mm², 18AWG, Serie: LRB, Isolamento: Non isolato, Diametro esterno: 8mm, Dimensione minima filo (mm2): 0.

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    Taiwan Semiconductor Diodo Zener, 15V, Su foro, 1 W, DO-41

    Taiwan Semiconductor Diodo Zener, 15V, Su foro, 1 W, DO-41, Configurazione diodi: Singolo, Tipo di zener: Regolatore di tensione, Tolleranza in tensione zener: 5%, Numero pin: 2, Corrente di test: 17mA, Impedenza massima zener: 14Ω, Massima corrente di perdita inversa: 5µA, Dimensioni: 5.7mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Minima temperatura operativa: -65 °C, MPN: 1N4744A.2 x 2.

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    Vishay Diodo, Su foro, 5A, 20V, DO-201AD, Raddrizzatore Schottky

    Vishay Diodo, Su foro, 5A, 20V, DO-201AD, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 480mV, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, Diametro: 5.3mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 220A, MPN: SB520A-E3/54.

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    Vishay Diodo, Su foro, 5A, 20V, DO-201AD, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 480mV, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, Diametro: 5.

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