IXYS MOSFET, canale N, 39 mΩ, 132 A, PLUS264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,89 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 20.29mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFB132N50P3
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IXYS MOSFET, Canale N, 39 MΩ, 132 A, PLUS264, Su Foro
Specifications of IXYS MOSFET, Canale N, 39 MΩ, 132 A, PLUS264, Su Foro | |
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