Microchip MOSFET, Canale N, 5 Ω, 280 MA, TO-236, Montaggio Superficiale
About The 8V, MPN: TN2106K1-G.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1
Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tipo di package: TO-236AB, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.8V, MPN: TN2106K1-G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Microchip MOSFET, Canale N, 5 Ω, 280 MA, TO-236, Montaggio Superficiale
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Specifications of Microchip MOSFET, Canale N, 5 Ω, 280 MA, TO-236, Montaggio Superficiale | |
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