Taiwan Semiconductor Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 8A, VRRM 600V, KBU, Su foro, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 200A, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tensione di forward di picco: 1V, Corrente inversa di picco: 5µA, Dimensioni: 23.7 x 7.1 x 19.3mm, Lunghezza: 23.7mm, MPN: KBU805G
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Taiwan Semiconductor Raddrizzatore A Ponte, Monofase,, Ifwd 8A, VRRM 600V, KBU, Su Foro, 4 Pin
Specifications of Taiwan Semiconductor Raddrizzatore A Ponte, Monofase,, Ifwd 8A, VRRM 600V, KBU, Su Foro, 4 Pin | |
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