Infineon MOSFET, canale N, 8,7 mΩ, 16 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.25V, Tensione di soglia gate minima: 1.35V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRF7805ZTRPBF
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Infineon MOSFET, Canale N, 8,7 MΩ, 16 A, SO-8, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 8,7 MΩ, 16 A, SO-8, Montaggio Superficiale | |
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