Infineon MOSFET, Canale N, 3 MΩ, 210 A, TO-220AB, Su Foro
About The Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 210 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFB3206PBF
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Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 3 MΩ, 210 A, TO-220AB, Su Foro | |
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