Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 1,7 A, HVMDIP, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFD014PBF
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Vishay MOSFET, Canale N, 200 MΩ, 1,7 A, HVMDIP, Su Foro
Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 200 MΩ, 1,7 A, HVMDIP, Su Foro | |
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