Infineon MOSFET Tedrodo, Canale N, 30 MA, SOT-143, Montaggio Superficiale
About The 9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BF998E6327HTSA1.8V, Dissipazione di potenza massima: 200 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -2,5 V, -2 V, Lunghezza: 2
Infineon MOSFET tedrodo, canale N, 30 mA, SOT-143, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 200 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -2,5 V, -2 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BF998E6327HTSA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET Tedrodo, Canale N, 30 MA, SOT-143, Montaggio Superficiale
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Specifications of Infineon MOSFET Tedrodo, Canale N, 30 MA, SOT-143, Montaggio Superficiale | |
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