Infineon MOSFET, canale N, 66 mΩ, 23 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 32 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.35mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSC340N08NS3GATMA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 66 MΩ, 23 A, TDSON, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 66 MΩ, 23 A, TDSON, Montaggio Superficiale | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated