Toshiba MOSFET, Canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Amphenol Socapex Connettore circolare MIL Maschio Diritto, 10 poli, Montaggio su cavo, Corrente nominale: 5A, Tensione nominale: 500 V, Dimensione guscio: 7, Tipo di accoppiamento: Filettato, Orientamento: Ad angolo retto, Serie: 2M801, MPN: 2M80100726NF710AA.

5A, Tensione nominale: 750 V, Dimensione guscio: 6, Tipo di accoppiamento: Filettato, Orientamento: Diritta, Serie: 2M801, MPN: 2M80100726NF623AA.Amphenol Socapex Connettore circolare MIL Maschio Diritto, 3 poli, Montaggio su cavo, Corrente nominale: 7.

Amphenol Socapex Connettore circolare MIL Maschio Diritto, 1 polo, Montaggio su cavo, Corrente nominale: 13A, Tensione nominale: 1,8 kV, Dimensione guscio: 6, Tipo di accoppiamento: Filettato, Orientamento: Diritta, Serie: 2M801, MPN: 2M80100726NF61BA.

3A, 20%, case 5030, Lunghezza: 4.9mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q200-001, Schermato: Sì, Serie: WE-HEPC, Materiale base: Polistirene, MPN: 74408053006.Wurth Elektronik Induttore di potenza Wurth, 6,8 μH, 1.

0M, MPN: 2904080.Phoenix Contact Cavo PLC, serie CABLE-FLK10/OE/0.14/ 6.

BETA Bussola Bussola lunga 920BL 15, 15mm, attacco Quadrato 1/2 poll., lunghezza 77 mm, Imperiale o metrico: Metrico, Tipo di testa a bussola: 12 punte.

Infineon Modulo tiristore Diodo, BG-PB34AT-1, 162A, 1600V, Corrente nominale: 260A, Sovracorrente nominale: 4400A, Corrente di gate trigger massima: 150mA, Tensione on-state di picco: 1.

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090A65Z, MPN: TK090A65Z,S4X(S.

41V, MPN: TT162N16KOFHPSA2.Infineon Modulo tiristore Diodo, BG-PB34AT-1, 162A, 1600V, Corrente nominale: 260A, Sovracorrente nominale: 4400A, Corrente di gate trigger massima: 150mA, Tensione on-state di picco: 1.

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090A65Z, MPN: TK090A65Z,S4X(S.