Infineon MOSFET, Canale P, 175 MΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
About The 6V, MPN: IRF9Z24NSTRLPBF.Infineon MOSFET, canale P, 175 mΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1
Infineon MOSFET, canale P, 175 mΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: IRF9Z24NSTRLPBF
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale P, 175 MΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
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Specifications of Infineon MOSFET, Canale P, 175 MΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale | |
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