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Socomec Modulo Di Comunicazione, Countis E33, 3 Fasi, Display LCD

About The Socomec Modulo di comunicazione, Countis E33, 3 fasi, display LCD, Profondità: 62.5mm, Precisione misuratore: 1%, Temperatura minima: -10°C, Temperatura massima: +55°C, Tipo di misurazione: Elettronica, Intervallo di misurazione: 230 → 400V, MPN: 48503012

Socomec Modulo di comunicazione, Countis E33, 3 fasi, display LCD, Profondità: 62.5mm, Precisione misuratore: 1%, Temperatura minima: -10°C, Temperatura massima: +55°C, Tipo di misurazione: Elettronica, Intervallo di misurazione: 230 → 400V, MPN: 48503012

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Specifications of Socomec Modulo Di Comunicazione, Countis E33, 3 Fasi, Display LCD

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TE Connectivity Cavo sensore/attuatore M12 Femmina / M12 Femmina, Ø 9.1mm, L.

TE Connectivity Cavo sensore/attuatore M12 Femmina / M12 Femmina, Ø 9.1mm, L.

5m, Serie: M12 L-Code, Sezione Conduttore: 1,5 mm², Colore guaina: Grigio, Materiale guaina: Nylon, Orientamento connettore 2: Ad angolo retto, Corrente nominale: 12 A, Tensione nominale: 63 V, MPN: T41513C9L25-005 TE Connectivity Cavo sensore/attuatore M12 Femmina / M12 Femmina, Ø 9.

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    • Siemens BOBINA X 3RT1044 42V 50HZ

    Siemens BOBINA X 3RT1044 42V 50HZ

    Siemens BOBINA X 3RT1044 42V 50HZ, MPN: 3RT19445AD01.

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    • 3M Connettore IDC, 50 vie, 2 file, passo 2.54mm, Montaggio su cavo

    3M Connettore IDC, 50 vie, 2 file, passo 2.54mm, Montaggio su cavo

    3M Connettore IDC, 50 vie, 2 file, passo 2.54mm, Montaggio su cavo, Orientamento: Angolo destro, Corrente nominale: 1A, Placcatura contatto: Oro, Serie: 4600, Materiale contatto: Rame, MPN: 4650-6200.

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    • Infineon MOSFET, canale N, 17,5 mΩ, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale N, 17,5 mΩ, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale

    35V, Tensione di soglia gate minima: 1.35V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRF8707TRPBF.Infineon MOSFET, canale N, 17,5 mΩ, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.

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  • Discreti
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon MOSFET, canale N, 17,5 mΩ, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale N, 17,5 mΩ, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale N, 17,5 mΩ, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.

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  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • Infineon