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Maxim Integrated IC Sistema Acquisizione Dati MAX17853ACB/V+, 12 Bit, 384μs, LQFP, 64 Pin

About The Maxim Integrated IC Sistema acquisizione dati MAX17853ACB/V+, 12 bit, 384μs, LQFP, 64 Pin

Maxim Integrated IC Sistema acquisizione dati MAX17853ACB/V+, 12 bit, 384μs, LQFP, 64 Pin

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DiodesZetex Diodo TVS, Bidirezionale,, SMD, bloccaggio 17V, breakdown 12.3V, DO-214AC (SMA)

DiodesZetex Diodo TVS, Bidirezionale,, SMD, bloccaggio 17V, breakdown 12.3V, DO-214AC (SMA)

3V, DO-214AC (SMA), Configurazione diodi: Singolo, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 400W, MPN: SMAJ10CAQ-13-F.

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    • DiodesZetex Diodo TVS, Unidirezionale,, SMD, bloccaggio 17V, breakdown 12.3V, DO-214AC (SMA)

    DiodesZetex Diodo TVS, Unidirezionale,, SMD, bloccaggio 17V, breakdown 12.3V, DO-214AC (SMA)

    3V, DO-214AC (SMA), Configurazione diodi: Singolo, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 400W, MPN: SMAJ10AQ-13-F.

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    • RS PRO O-ring in Gomma nitrilica, Ø int.

    RS PRO O-ring in Gomma nitrilica, Ø int.

    RS PRO O-ring in Gomma nitrilica, Ø int.180mm, Ø est.

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    • STMicroelectronics MOSFET, canale N, 430 mΩ, 8,5 A, TO-220FP, Su foro

    STMicroelectronics MOSFET, canale N, 430 mΩ, 8,5 A, TO-220FP, Su foro

    STMicroelectronics MOSFET, canale N, 430 mΩ, 8,5 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF12N65M5.

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    STMicroelectronics MOSFET, canale N, 430 mΩ, 8,5 A, TO-220FP, Su foro

    STMicroelectronics MOSFET, canale N, 430 mΩ, 8,5 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF12N65M5.

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