DiodesZetex MOSFET, Canale N, P, 160 MΩ (canale P), 91 MΩ (canale N), 4 A, 3,3 A, TSOT-26, Montaggio Superficiale
About The 4 (PChannel) V, Dissipazione di potenza massima: 1,1 W, Tensione massima gate source: ±12 V, ±8 V.DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 160 mΩ (canale P), 91 mΩ (canale N), 4 A, 3,3 A, TSOT-26, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1 (PChannel) V, 1
DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 160 mΩ (canale P), 91 mΩ (canale N), 4 A, 3,3 A, TSOT-26, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1 (PChannel) V, 1.2 (NChannel) V, Tensione di soglia gate minima: 0.4 (NChannel) V, 0.4 (PChannel) V, Dissipazione di potenza massima: 1,1 W, Tensione massima gate source: ±12 V, ±8 V., Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMC2057UVT-7
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
DiodesZetex MOSFET, Canale N, P, 160 MΩ (canale P), 91 MΩ (canale N), 4 A, 3,3 A, TSOT-26, Montaggio Superficiale
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Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale N, P, 160 MΩ (canale P), 91 MΩ (canale N), 4 A, 3,3 A, TSOT-26, Montaggio Superficiale | |
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