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Noga Utensile Per Sbavatura In Carburo

About The Noga Utensile per sbavatura in Carburo, Modello: TB 1000

Noga Utensile per sbavatura in Carburo, Modello: TB 1000

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Noga Utensile Per Sbavatura In Carburo

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Specifications of Noga Utensile Per Sbavatura In Carburo

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Noga Utensile Per Sbavatura In Carburo
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Rating :- 9.8 /10
Votes :- 6
TE Connectivity Guaina termorestringente Ø 3.2mm, col.
  • Cavi & Elettricità e Automazione
  • Cavi e fili
  • Giunti e guaine per cavi
  • Guaine termorestringenti
  • TE Connectivity
    • SKF Guarnizione per alberi rotanti, Ø int.

    SKF Guarnizione per alberi rotanti, Ø int.

    SKF Guarnizione per alberi rotanti, Ø int.65mm, Ø est.

  • Meccanica & Potenza fluida e Utensili
  • Cuscinetti e Guarnizioni
  • Guarnizioni & Tenute e baderne
  • Guarnizioni
  • SKF
    • APEM Interruttore a bilanciere, SPDT, On-On

    APEM Interruttore a bilanciere, SPDT, On-On

    APEM Interruttore a bilanciere, SPDT, On-On, Larghezza forature pannello: 19.2mm, Diametro forature pannello: 20.2mm, Illuminato: No, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, MPN: FNRC64SXX2X.

  • Cavi & Elettricità e Automazione
  • Interruttori e Pulsanti
  • Interruttori a bilanciere e componenti
  • Interruttori a bilanciere
  • APEM
    • DiodesZetex MOSFET, canale N, 40 mΩ, 5,3 A, SOT-26, Montaggio superficiale

    DiodesZetex MOSFET, canale N, 40 mΩ, 5,3 A, SOT-26, Montaggio superficiale

    DiodesZetex MOSFET, canale N, 40 mΩ, 5,3 A, SOT-26, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,12 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1V, Altezza: 1.3mm, MPN: DMG6402LDM-7.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • DiodesZetex
    • DiodesZetex MOSFET, canale N, 40 mΩ, 5,3 A, SOT-26, Montaggio superficiale

    DiodesZetex MOSFET, canale N, 40 mΩ, 5,3 A, SOT-26, Montaggio superficiale

    DiodesZetex MOSFET, canale N, 40 mΩ, 5,3 A, SOT-26, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,12 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1V, Altezza: 1.3mm, MPN: DMG6402LDM-7.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • DiodesZetex