Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines
About The Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0031 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Serie: OptiMOS 3
Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0031 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Serie: OptiMOS 3
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Specifications of Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
Last Updated
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
Semiconductores
Semiconductores Discretos
Rating :- 9.37 /10
Votes :- 5
