Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB65R190CFDAATMA1, VDSS 650 V, ID 57,2 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

TE Connectivity Contacto para conector circular, Macho, para cable de 20 → 17 AWG, de crimpar, Método de Terminación: Crimpado, Para Uso Con: Sistemas de conector de contactos con diámetro de 1,5 & 2,5 & 4 mm, Tipo de Contacto: Señal, Revestimiento del Contacto: Estaño, Material del Contacto: Aleación Silicio Níquel Cobre, MPN: 1703013-1.

TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento SNR de 1 polo, SPDT, bobina 24V dc, 6A, Montaje en PCB, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Montaje en orificio pasante, Longitud: 28mm, Resistencia de la Bobina: 3390Ω, Material de los Contactos: Aleación de Plata, Profundidad: 5mm, Altura: 15mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +85°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, MPN: V23092-A1024-A301 2-1393236-4.

76 Ω/1000ft, Filamentos del Núcleo: 168/0.

Simple.Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C STMicroelectronics MOSFET STP55NF06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines,, config.

4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C STMicroelectronics MOSFET STP55NF06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple.Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.