Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB065N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0065 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Serie: OptiMOS 3
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Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB065N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines
Specifications of Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB065N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines | |
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