Toshiba MOSFET TPN2R304PL, VDSS 40 V, ID 100 A, TSON De 8 Pines,, Config. Simple
About The 4V, Disipación de Potencia Máxima: 104 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2
Toshiba MOSFET TPN2R304PL, VDSS 40 V, ID 100 A, TSON de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.4V, Disipación de Potencia Máxima: 104 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Toshiba MOSFET TPN2R304PL, VDSS 40 V, ID 100 A, TSON De 8 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Toshiba MOSFET TPN2R304PL, VDSS 40 V, ID 100 A, TSON De 8 Pines,, Config. Simple | |
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