STMicroelectronics AEC-Q100 Memoria EEPROM M24LR04E-RDW6T/2, 4kbit, 128, 512 x, 8bit, Serie I2C, 900ns, 1,8 →
05mm, Data Retention: 40año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C.STMicroelectronics AEC-Q100 Memoria EEPROM M24LR04E-RDW6T/2, 4kbit, 128, 512 x, 8bit, Serie I2C, 900ns, 1,8 →, Tipo de Encapsulado: TSSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 32 bits, 512 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,8 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Tensión de Programación: 1.1 x 4.5 x 1.