Wurth Elektronik WE-DD Gekoppelte Induktivität, 4,7 μH, 8A, 20MHz, 28mΩ, Ferrit ±20%, Gehäuse-Form 1260
: +125°C, Geschirmt: Ja, Induktivitätsbauweise: Dual, Tiefe: 12.Wurth Elektronik WE-DD Gekoppelte Induktivität, 4,7 μH, 8A, 20MHz, 28mΩ, Ferrit ±20%, Gehäuse-Form 1260, Betriebstemperatur min.