STMicroelectronics SCT1000N170 SCT1000N170 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 7 A, 3-Pin Hip247, Drain-Source-Widerstand max.: 1,66 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Transistor-Werkstoff: Si
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STMicroelectronics SCT1000N170 SCT1000N170 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 7 A, 3-Pin Hip247
Specifications of STMicroelectronics SCT1000N170 SCT1000N170 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 7 A, 3-Pin Hip247 | |
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