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TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 24.9Ω ±0.1% / 0.2W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

About The 1% / 0.9Ω ±0

TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 24.9Ω ±0.1% / 0.2W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: 3-2176378-2

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TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 24.9Ω ±0.1% / 0.2W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

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Specifications of TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 24.9Ω ±0.1% / 0.2W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

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Vishay Resistor, Wirewound; 1.5 Kilohms; 3 W @ degC; 5%; Axial Leaded; 1000 VAC

Vishay Resistor, Wirewound; 1.5 Kilohms; 3 W @ degC; 5%; Axial Leaded; 1000 VAC

5 Kilohms; 3 W @ degC; 5%; Axial Leaded; 1000 VAC, MPN: CW02B1K500JE12.

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    Wurth Elektronik, WCAP-CSGP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 100nF ±20% / 10V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    Wurth Elektronik, WCAP-CSGP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 100nF ±20% / 10V dc, Gehäuse 0402 (1005M), Spannung: 10V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.: +85°C, Betriebstemperatur min.

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    onsemi MMBTA56LG SMD, PNP Transistor –80 V / –500 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.

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    TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 24.9Ω ±0.1% / 0.2W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.2W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: 3-2176378-2.

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    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 145mm, Aussen ø 180mm, 12mm, Typ: Radiale Wellendichtung, MPN: 145X180X12 HMS5 RG.

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    2W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 24.

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    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 145mm, Aussen ø 180mm, 12mm

    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 145mm, Aussen ø 180mm, 12mm, Typ: Radiale Wellendichtung, MPN: 145X180X12 HMS5 RG.

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