Infineon CoolMOS P7 SJ IPU95R3K7P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 2 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Infineon CoolMOS P7 SJ IPU95R3K7P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 2 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,37 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS P7 SJ IPU95R3K7P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 2 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Specifications of Infineon CoolMOS P7 SJ IPU95R3K7P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 2 A, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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