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Infineon CoolMOS P7 IPN80R750P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin SOT-223

About The 5V.: 3

Infineon CoolMOS P7 IPN80R750P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V

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Infineon CoolMOS P7 IPN80R750P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon CoolMOS P7 IPN80R750P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin SOT-223

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Infineon CoolMOS P7 IPN80R750P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin SOT-223
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Infineon CoolMOS P7 IPA80R600P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP

Infineon CoolMOS P7 IPA80R600P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP

Infineon CoolMOS P7 IPA80R600P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP.

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    Infineon CoolMOS P7 IPA95R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP

    : 0,12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V.Infineon CoolMOS P7 IPA95R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon CoolMOS P7 IPD80R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.5V.: 0,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Bourns SDR1307 SMD Induktivität, 560 μH 1.3A mit Ferrit DR-Kern, 1307 Gehäuse 13mm / ±10%, 2MHz

    Bourns SDR1307 SMD Induktivität, 560 μH 1.: 880mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: SDR1307-561KL.

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    : 4V.Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.

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    5V.Infineon CoolMOS P7 IPN80R750P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 3.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,15 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V.

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