IXYS HiperFET, Polar3 IXFP14N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 14 A 327 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.66mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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IXYS HiperFET, Polar3 IXFP14N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 14 A 327 W, 3-Pin TO-220
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFP14N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 14 A 327 W, 3-Pin TO-220 | |
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