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STMicroelectronics M6 STD18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 4.75V, Transistor-Werkstoff: Si

STMicroelectronics M6 STD18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,23 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Transistor-Werkstoff: Si

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STMicroelectronics M6 STD18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of STMicroelectronics M6 STD18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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STMicroelectronics M6 STD18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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