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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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MOSFET
STMicroelectronics

STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247

About The : 4.STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,059 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247

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Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 1,56 W, 8-Pin SOIC

Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 1,56 W, 8-Pin SOIC

: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • onsemi THT Diode, 800V / 8A, 2-Pin TO-220AC

    onsemi THT Diode, 800V / 8A, 2-Pin TO-220AC

    8V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 100ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 100A, MPN: MUR880EG.

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    • onsemi THT Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 16A, 3-Pin TO-220AB

    onsemi THT Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 16A, 3-Pin TO-220AB

    onsemi THT Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 16A, 3-Pin TO-220AB, Gleichrichter-Typ: Schalt, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 975mV, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 100A, MPN: MUR1620CTG.

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    • WIKA Zeigerthermometer Rundes Ziffernblatt, 0 → +120 °C, Skalen-Ø 40mm

    WIKA Zeigerthermometer Rundes Ziffernblatt, 0 → +120 °C, Skalen-Ø 40mm

    WIKA Zeigerthermometer Rundes Ziffernblatt, 0 → +120 °C, Skalen-Ø 40mm, Genauigkeit max.: Klasse 2 nach EN 13190, Temperaturskala: Celsius, Serie: A52, MPN: 40154815.

  • PSA & Sicherheit & Test und IT
  • Mess- und Prüftechnik
  • Temperaturmessgeräte
  • Zeigerthermometer
  • WIKA
    • Vishay Brückengleichrichter, 1-phasig 1.9A 400V THT 1.1V D 37 4-Pin 10μA

    Vishay Brückengleichrichter, 1-phasig 1.9A 400V THT 1.1V D 37 4-Pin 10μA

    5mm, MPN: VS-2KBB40R.1V D 37 4-Pin 10μA, Konfiguration: Single, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 52A, Betriebstemperatur max.

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  • Brückengleichrichter
  • Vishay
    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 18kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 18kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 18kΩ ±0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +125°C, MPN: CPF0805B18KE.1% / 0.

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    • Schneider Electric Harmony Relay RUM Elektromechanisches Interfacerelais, 48V / 48V dc, 3-poliger Wechsler

    Schneider Electric Harmony Relay RUM Elektromechanisches Interfacerelais, 48V / 48V dc, 3-poliger Wechsler

    : 48V dc, Schaltspannung: 250V, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: RUMC32ED.Schneider Electric Harmony Relay RUM Elektromechanisches Interfacerelais, 48V / 48V dc, 3-poliger Wechsler, Montage Typ: Steckanschluss, Laststrom: 10A, Eingangsspannung max.

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    • STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247

    STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247

    75V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 4.: 0,059 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Schneider Electric Harmony Relay RUM Elektromechanisches Interfacerelais, 48V / 48V dc, 3-poliger Wechsler

    Schneider Electric Harmony Relay RUM Elektromechanisches Interfacerelais, 48V / 48V dc, 3-poliger Wechsler, Montage Typ: Steckanschluss, Laststrom: 10A, Eingangsspannung max.: 48V dc, Schaltspannung: 250V, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: RUMC32ED.

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    • STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247

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    : 4.75V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.STMicroelectronics STWA68N65DM6 STWA68N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.

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