IXYS HiperFET, Polar3 IXFH20N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 380 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 21.46mm, Länge: 16.26mm
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IXYS HiperFET, Polar3 IXFH20N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 380 W, 3-Pin TO-247
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFH20N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 380 W, 3-Pin TO-247 | |
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