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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 STD100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics STripFET H7 STD100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.4mm

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Specifications of STMicroelectronics STripFET H7 STD100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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APEM LED Schalttafel-Anzeigelampe Rot 24V dc, Montage-Ø 6mm, Faston, Lötfahne

APEM LED Schalttafel-Anzeigelampe Rot 24V dc, Montage-Ø 6mm, Faston, Lötfahne

3mm, Intensität: 25 mcd, Länge: 20,3 mm, MPN: QS61XXR24.

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    • TE Connectivity FASTON .110 Flachsteckhülse, Unisoliert, 2.79 x 0.51mm, Buchse, 0.3mm² - 0.8mm², 22AWG min
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    • TE Connectivity FASTON .250 Flachsteckhülse, Unisoliert, 6.35 x 0.8mm, Buchse, 0.3mm² - 0.8mm², 22AWG min

    TE Connectivity FASTON .250 Flachsteckhülse, Unisoliert, 6.35 x 0.8mm, Buchse, 0.3mm² - 0.8mm², 22AWG min

    8mm, Buchse, 0.8mm², 22AWG min, Maximale Drahtgröße (AWG): 18AWG, Anschlussart: Crimp, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Gesamtlänge: 21.35 x 0.

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    • Infineon IPP014N06NF2SAKMA2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 198 A PG-TO220-3

    Infineon IPP014N06NF2SAKMA2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 198 A PG-TO220-3

    Infineon IPP014N06NF2SAKMA2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 198 A PG-TO220-3, MPN: SP005742469.

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    • Panasonic POSCAP TQC, SMD Polymerkondensator 47μF ±20% / 20V dc, -55°C → +105°C

    Panasonic POSCAP TQC, SMD Polymerkondensator 47μF ±20% / 20V dc, -55°C → +105°C

    Panasonic POSCAP TQC, SMD Polymerkondensator 47μF ±20% / 20V dc, -55°C → +105°C, Kapazität: 47µF, Spannung: 20V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Gehäuse-Form: D15, Äquivalenter Serienwiderstand: 55mΩ, Länge: 7.3mm, Tiefe: 4.

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    • RS PRO Sicherung, nicht rückstellend 315mA radial 250V ac Thermoplast F ø 8.35mm 7.7mm, Raster 5.08mm

    RS PRO Sicherung, nicht rückstellend 315mA radial 250V ac Thermoplast F ø 8.35mm 7.7mm, Raster 5.08mm

    35mm 7.08mm, Betriebsspannung: 250V ac, Drahtlänge: 22mm, Ausschaltvermögen: 35 A @ 250 V ac, Minimale Betriebstemperatur: -55°C, Maximale Betriebstemperatur: +125°C, Drahtdurchmesser: 0.RS PRO Sicherung, nicht rückstellend 315mA radial 250V ac Thermoplast F ø 8.62mm.

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    • Nexperia PEMD3,115 SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SSMini 6-Pin

    Nexperia PEMD3,115 SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SSMini 6-Pin

    Nexperia PEMD3,115 SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SSMini 6-Pin, Transistor-Typ: NPN + PNP, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Eingangswiderstand typ.: 10 kΩ, Gleichstromverstärkung min.

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    • Nexperia PEMD3,115 SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SSMini 6-Pin

    Nexperia PEMD3,115 SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SSMini 6-Pin

    : 30, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

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    STMicroelectronics STripFET H7 STD100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    4mm.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.

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