Vishay EF SiHA186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,168 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3 → 5V
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Vishay EF SiHA186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Vishay EF SiHA186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-220 | |
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