Toshiba TK TK56A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 7,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 15mm, Länge: 10mm
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Toshiba TK TK56A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
Specifications of Toshiba TK TK56A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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