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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 STP110N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin TO-220

About The : 2.5V, Gate-Schwellenspannung min

STMicroelectronics STripFET H7 STP110N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 15.75mm

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STMicroelectronics STripFET H7 STP110N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of STMicroelectronics STripFET H7 STP110N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin TO-220

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Kraus & Naimer Nockenschalter, 2-polig / 115A, Schließer/Öffner, 3-Stufen

Kraus & Naimer Nockenschalter, 2-polig / 115A, Schließer/Öffner, 3-Stufen

Kraus & Naimer Nockenschalter, 2-polig / 115A, Schließer/Öffner, 3-Stufen, Typ: Nockenschalter: Nockenschalter mit Doppelauslösung, Länge: 190mm, Breite: 280mm, Tiefe: 130mm, Abmessungen: 190 x 280 x 130mm, MPN: C80A211/GBA006*ST.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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    • Hirose DF11 Leiterplatten-Stiftleiste gerade, 24-polig / 2-reihig, Raster 2.0mm, Platine-Platine, Kabel-Platine,

    Hirose DF11 Leiterplatten-Stiftleiste gerade, 24-polig / 2-reihig, Raster 2.0mm, Platine-Platine, Kabel-Platine,

    0mm, Platine-Platine, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Zinn, Nennstrom: 2.0A, Betriebsspannung: 250,0 V, MPN: DF11-24DP-2DSA(08).Hirose DF11 Leiterplatten-Stiftleiste gerade, 24-polig / 2-reihig, Raster 2.

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    • ROHM Dickschicht Widerstand 1.1kΩ ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht Widerstand 1.1kΩ ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse

    1kΩ ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse, MPN: ESR25JZPF1101.

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    • APEM LED Schalttafel-Anzeigelampe Weiß 12V dc, Montage-Ø 8mm, Leiter

    APEM LED Schalttafel-Anzeigelampe Weiß 12V dc, Montage-Ø 8mm, Leiter

    APEM LED Schalttafel-Anzeigelampe Weiß 12V dc, Montage-Ø 8mm, Leiter, Nennspannung: 12V dc, Nennstrom: 20mA, Intensität: 1200mcd, Länge: 28mm, Intensität: 1200 mcd, Länge: 28 mm, MPN: QS83XXW12.

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    • onsemi THT Dual Optokoppler DC-In / Phototransistor-Out, 8-Pin PDIP, PDIP-W, Isolation 5 kV eff

    onsemi THT Dual Optokoppler DC-In / Phototransistor-Out, 8-Pin PDIP, PDIP-W, Isolation 5 kV eff

    : 60 mA, Mindeststromübertragungsverhältnis: 100 %, MPN: MCT62.

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    • STMicroelectronics STripFET H7 STP110N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin TO-220

    STMicroelectronics STripFET H7 STP110N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin TO-220

    75mm.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.: -20 V, +20 V, Höhe: 15.

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    • ROHM Dickschicht Widerstand 160Ω ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht Widerstand 160Ω ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht Widerstand 160Ω ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse, MPN: ESR25JZPF1600.

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    STMicroelectronics STripFET H7 STP110N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.75mm.

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    • ROHM Dickschicht Widerstand 160Ω ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht Widerstand 160Ω ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht Widerstand 160Ω ±1% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse, MPN: ESR25JZPF1600.

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