onsemi QFET FQPF3N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 39 W, 3-Pin TO-220F, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.19mm, Länge: 10.16mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQPF3N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 39 W, 3-Pin TO-220F
Specifications of Onsemi QFET FQPF3N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 39 W, 3-Pin TO-220F | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |