ROHM QS8M51 QS8M51TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A, 1,5 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8
About The 1mm, Betriebstemperatur max.ROHM QS8M51 QS8M51TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A, 1,5 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max
ROHM QS8M51 QS8M51TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A, 1,5 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 355 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V, Gate-Schwellenspannung min.: 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM QS8M51 QS8M51TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A, 1,5 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8
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Specifications of ROHM QS8M51 QS8M51TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A, 1,5 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8 | |
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