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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Toshiba DTMOSIV TK28E65W,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 27,6 A 230 W, 3-Pin TO-220

About The : 2.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Toshiba DTMOSIV TK28E65W,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 27,6 A 230 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Toshiba DTMOSIV TK28E65W,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 27,6 A 230 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Toshiba DTMOSIV TK28E65W,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 27,6 A 230 W, 3-Pin TO-220

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