Infineon IPTG IPTG111N20NM3FDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 108 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0111 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
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Infineon IPTG IPTG111N20NM3FDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 108 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)
Specifications of Infineon IPTG IPTG111N20NM3FDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 108 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG) | |
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