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SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form Lang 8-teilig, T9 → T40

About The SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form lang 8-teilig, T9 → T40, MPN: 66-R8AL

SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form lang 8-teilig, T9 → T40, MPN: 66-R8AL

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SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form Lang 8-teilig, T9 → T40

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Specifications of SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form Lang 8-teilig, T9 → T40

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SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form Lang 8-teilig, T9 → T40
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Rating :- 9.57 /10
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Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 548V 420V min., 2-Pin, THT 342V max DO-201AE
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Suppressordioden TVS
  • Taiwan Semiconductor
    • Siemens SIRIUS ACT Drucktasten-Kompletteinheit, EIN-AUS Schalter, 1-polig

    Siemens SIRIUS ACT Drucktasten-Kompletteinheit, EIN-AUS Schalter, 1-polig

    45mm, Herst.: 3SU1150-0BB10-1FA0, Betriebstemperatur min.Siemens SIRIUS ACT Drucktasten-Kompletteinheit, EIN-AUS Schalter, 1-polig, Kontaktanordnung: SPST, Drucktastentyp: Rund, Drucktastenfarbe: Schwarz, Tafelausschnitt Durchmesser: 22mm, IP Schutzart: IP66, IP67, IP69(IP69K), Drucktaster Material: Kunststoff, Drucktastendurchmesser: 29.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Drucktastenschalter und Zubehör
  • Drucktaster-Schalter
  • Siemens
    • Vishay AEC-Q101 Fotodiode IR 820nm Si, SMD QFN-Gehäuse 4-Pin

    Vishay AEC-Q101 Fotodiode IR 820nm Si, SMD QFN-Gehäuse 4-Pin

    9mm, Durchschlagspannung: 20V, MPN: VEMD5060X01.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • Optokoppler und Photodetektoren
  • Fotodioden
  • Vishay
    • Vishay Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip THT 18V / 1,3 W max, DO-41 2-Pin
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Zener Dioden
  • Vishay
    • Rockwell Automation Sicherheitsbegrenzungsschalter, Rollenstößel, 2 Öffner/1 Schließer, IP 66, Polybutylenterephthalat

    Rockwell Automation Sicherheitsbegrenzungsschalter, Rollenstößel, 2 Öffner/1 Schließer, IP 66, Polybutylenterephthalat

    Rockwell Automation Sicherheitsbegrenzungsschalter, Rollenstößel, 2 Öffner/1 Schließer, IP 66, Polybutylenterephthalat, Strom (max.): 600V, MPN: 440P-CRPB12B A.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Endschalter und Positionsschalter
  • Endschalter
  • Rockwell Automation
    • STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • IGBT
  • STMicroelectronics
    • SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form lang 8-teilig, T9 → T40

    SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form lang 8-teilig, T9 → T40

    SAM TORX®-Schlüsselsatz L-Form lang 8-teilig, T9 → T40, MPN: 66-R8AL.

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  • TORX®-Schlüssel
  • SAM
    • onsemi FDMS4D5N08LCOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8

    onsemi FDMS4D5N08LCOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8

    onsemi FDMS4D5N08LCOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.5V, Gate-Schwellenspannung min.

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    • onsemi FDMS4D5N08LCOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8

    onsemi FDMS4D5N08LCOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8

    5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.onsemi FDMS4D5N08LCOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.

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