ATP S600Sc Micro SDHC Micro SD Karte 16 GB Class 10, UHS-1 U1 Industrieausführung, MLC

About The ATP S600Sc Micro SDHC Micro SD Karte 16 GB Class 10, UHS-1 U1 Industrieausführung, MLC, SD-Kartentyp: Micro SD-Karte, Industrieausführung: Ja, Temperaturbereich: -25 → +85°C, MPN: AF16GUD3-WAAXX

ATP S600Sc Micro SDHC Micro SD Karte 16 GB Class 10, UHS-1 U1 Industrieausführung, MLC, SD-Kartentyp: Micro SD-Karte, Industrieausführung: Ja, Temperaturbereich: -25 → +85°C, MPN: AF16GUD3-WAAXX

PSA & Sicherheit & Test und IT > Computertechnik und Peripheriegeräte > Speicher > SD Karten

KYOCERA AVX TPS Kondensator, MnO2, 100μF, 10V dc SMD, ±10%, Gehäuse 7343-31, +125°C

RS PRO Dünnschicht Widerstand 330kΩ 0.1% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse

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Specifications of ATP S600Sc Micro SDHC Micro SD Karte 16 GB Class 10, UHS-1 U1 Industrieausführung, MLC
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Last Updated January 9th, 2024 07:45 am

ATP S600Sc Micro SDHC Micro SD Karte 16 GB Class 10, UHS-1 U1 Industrieausführung, MLC

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Computertechnik und Peripheriegeräte

Speicher

Rating :- 9.37 /10

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Panasonic KT4H PID Temperaturregler Tafelmontage, 1 x Relais Ausgang/ Thermoelement Eingang, 24 V ac/dc, 48 x 59.2mm

: +50°C, Temperaturbereich: 0 → +50 °C, Kommunikationsmodul verfügbar: Ja, Anzeigentyp: Segment, IP Schutzart: IP66, MPN: AKT4H211100.

Elektromechanik & Automation und Kabel

Vishay SQM120N06-3M5L_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A TO-263

Vishay SQM120N06-3M5L_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A TO-263.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

TDK EF470X Gasentladungsableiter, 2-Elektroden Ableiter, 588V, Impuls 800V, +125°C, Durchsteckmontage, 8 Dia.

: 150 V, Tiefe: 8mm, Höhe: 8. x 6mm.x 6mm, Betriebsspannung max.5pF, MPN: B88069X5080T502 TDK EF470X Gasentladungsableiter, 2-Elektroden Ableiter, 588V, Impuls 800V, +125°C, Durchsteckmontage, 8 Dia.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Passive Bauelemente

Überspannungsschutz-Komponenten

Gasentladungsröhren

TDK

RS PRO Dünnschicht Widerstand 1.2MΩ 0.1% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse

25W, 1206 (3216M) Gehäuse.2MΩ 0.1% / 0.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

TE Connectivity SM Metallschicht SMD-Widerstand 18kΩ ±5% / 3W ±100ppm/°C

TE Connectivity SM Metallschicht SMD-Widerstand 18kΩ ±5% / 3W ±100ppm/°C, Betriebstemperatur min.: +280°C, MPN: SMF318KJT.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

RS PRO Dünnschicht Widerstand 330kΩ 0.1% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse

RS PRO Dünnschicht Widerstand 330kΩ 0.1% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder